[发明专利]单晶片刻蚀方法

摘要

根据本发明的刻蚀方法，可将晶片端部的局部形状破坏降至最小程度，而且晶片前表面和晶片端部都能均匀地刻蚀，同时能防止刻蚀剂流到晶片后表面。所提供的单晶片刻蚀方法，在具有平坦前、后表面的单晶片被固定的状态下，将刻蚀剂提供给晶片前表面，并利用水平旋转该晶片产生的离心力刻蚀晶片前表面和前表面侧端部。按此方法，刻蚀剂是分两次或更多次间断性提供给晶片前表面，在提供用于一次处理的刻蚀剂后停止刻蚀剂供应，并在所提供的刻蚀剂从晶片端部流出后再提供用于下次处理的刻蚀剂。

主权项

1.一种单晶片刻蚀方法，它在晶片被固定的状态下将刻蚀剂提供给具有平坦前、后表面的单晶片的前表面，并利用水平旋转该晶片产生的离心力刻蚀晶片前表面和晶片前表面侧端部，该刻蚀方法包括：分两次或更多次将刻蚀剂间断性提供给晶片前表面；在提供用于一次处理的刻蚀剂后停止供应刻蚀剂；并在所提供的刻蚀剂流出晶片端部后提供用于下一次处理的刻蚀剂。