[发明专利]存储设备和半导体装置无效
| 申请号： | 200610106195.3 | 申请日： | 2006-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN1881466A | 公开（公告）日： | 2006-12-20 |
| 发明（设计）人： | 八野英生;冈崎信道;荒谷胜久 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/21 | 分类号： | G11C11/21 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 史新宏;邵亚丽 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种存储设备，包括具有第一端子和第二端子的存储元件，在施加第一门限电平或者更高的电信号时引起第一电特性变化，并且在施加第二门限电平或者更高的电信号时引起第二电特性变化，第二电特性变化与第一电特性变化不对称，所述第二门限电平或者更高的电信号的极性与所述第一门限电平或者更高的电信号的极性不同；和与存储元件串联的单极晶体管。存储元件的第一端子和第二端子只有一个电连接于单极晶体管。单极晶体管根据第一端子或者第二端子电连接于单极晶体管而具有负极性或者正极性。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 设备 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1、一种存储设备，包括：具有第一端子和第二端子的存储元件，在施加第一门限电平或者更高的电信号时引起第一电特性变化，并且在施加第二门限电平或者更高的电信号时引起第二电特性变化，第二电特性变化与第一电特性变化不对称，所述第二门限电平或者更高的电信号的极性与所述第一门限电平或者更高的电信号的极性不同；以及与存储元件串联的单极晶体管，其中存储元件的第一端子和第二端子中只有一个电连接到单极晶体管，以及其中单极晶体管根据电连接到单极晶体管的第一端子或者第二端子而具有负极性或者正极性。
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