[发明专利]半导体存储卡和数据读取装置有效

专利信息
申请号: 200610106349.9 申请日: 2000-04-10
公开(公告)号: CN1905073A 公开(公告)日: 2007-01-31
发明(设计)人: 广田照人;馆林诚;汤川泰平;南贤尚;小塚雅之 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: G11C16/22 分类号: G11C16/22;G11C7/24;G06F12/14
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 张雪梅;刘杰
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种半导体存储器卡包括控制IC(302),闪存(303),和ROM(304)。ROM(304)保存如对每个半导体存储器卡是唯一的介质ID的信息。闪存(303)包括一个验证存储器(332)和一个非验证存储器(331)。验证存储器只能由已被确认验证的外部设备访问。非验证存储器331能够由被确认或未被确认的外部设备访问。控制IC(302)包括控制单元(325)和(326),验证单元(321)等。控制单元(325)和(326)分别控制对验证存储器(332)和非验证存储器(331)的访问。验证单元(321)与外部设备执行相互验证。
搜索关键词: 半导体 存储 数据 读取 装置
【主权项】:
1.一种可以在电子设备中使用和/或从电子设备中移除的半导体存储卡,包括:可再写非易失性存储器;和控制电路,其控制电子设备对可再写非易失性存储器内的验证区域和非验证区域的访问,其中控制电路包括:非验证区域访问控制单元,其控制电子设备对非验证区域的访问;验证单元,其执行验证处理去检查电子设备是否具有访问半导体存储卡的权限,当电子设备具有访问半导体存储卡的权限时确认验证电子设备;和验证区域访问控制单元,只有当验证单元确认验证了电子设备时其才允许电子设备访问验证区域,其中借助将可再写非易失性存储器中预定大小的连续区域分成两块,生成了验证区域和非验证区域,以及半导体存储卡进一步包括:用于保存关于验证区域与非验证区域之间的边界的信息的装置;和区域大小改变电路,其改变验证区域和非验证区域的大小,其中在删除可再写非易失性存储器中存储区域的所有内容之后,区域大小改变电路借助改变关于边界的信息来改变验证区域和非验证区域的大小,以及验证区域访问控制单元和非验证区域访问控制单元通过引用关于边界的信息来控制电子设备对验证区域和非验证区域的访问。
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