[发明专利]半导体集成电路装置无效
| 申请号： | 200610106387.4 | 申请日： | 2006-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN1897275A | 公开（公告）日： | 2007-01-17 |
| 发明（设计）人： | 山本宽 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/00 | 分类号： | H01L27/00;H01L23/522 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 陆锦华;谢丽娜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体集成电路装置，具有能确保布线间的绝缘性的配置布线。在同一布线层内，包括被供给给定的电压的第1布线(11)、成为给定的电压及以上的电压的第2布线(12)和成为给定的电压及以下的电压的第3布线(13)。或者，包括被供给给定的电压的第1布线(11)、成为给定的电压及以下的电压的第2布线(12)和成为给定的电压及以上的电压的第3布线(13)。并且，使得第1布线(11)介于第2布线(12)和第3布线(13)之间而对各个布线以布线间隔d来配置布线。预先知道电位差小的布线(11)常与布线(12)邻接而被布线。因此，与布线(12)的电位差有变大的可能性的布线(13)不与布线(12)直接邻接。这样的布线配置的结果，就做成能充分地确保布线间的绝缘性的布线。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体集成电路装置，其特征在于，包括：被供给给定的电压的第1布线；有时成为超过所述给定的电压的电压的第2布线；以及只成为所述给定的电压及以下的电压的第3布线，在半导体集成电路装置中的同一布线层内，使得所述第1布线介于所述第2布线和所述第3布线之间而配置布线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
