[发明专利]具有降低的沟道电导变化的采样和保持电路及其操作方法有效
| 申请号： | 200610106392.5 | 申请日： | 2006-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN1897465A | 公开（公告）日： | 2007-01-17 |
| 发明（设计）人： | 林成相 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H03M1/12 | 分类号： | H03M1/12 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 郭定辉;黄小临 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种诸如采样和保持电路之类的电子装置，包括：场效应晶体管(FET)、电容和电压偏置电路。FET配置来在其第一端接收信号并响应于在其栅极端的开关信号选择性地向其第二端提供信号。电容器电连接到FET的第二端。电压偏置电路电连接到FET的第一端和栅极端。电压偏置电路配置来保持FET的第一端和栅极端之间的基本上恒定的电压差，同时将信号提供到FET的第二端并实际上独立于输入信号的电压电平。还公开了相关的操作方法。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 降低 沟道 电导 变化 采样 保持 电路 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
1.一种电子装置，包括：场效应晶体管(FET)，配置来在其第一端接收信号并响应于在其栅极端的开关信号选择性地向其第二端提供信号；电连接到FET的第二端的电容器；和电连接到FET的第一端和栅极端的电压偏置电路，被配置来保持FET的第一端和栅极端之间的基本上恒定的电压差，同时将信号提供到FET的第二端并实际上独立于输入信号的电压电平。
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