[发明专利]平板显示器及其制备方法有效
| 申请号： | 200610106394.4 | 申请日： | 2006-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN1897257A | 公开（公告）日： | 2007-01-17 |
| 发明（设计）人： | 崔泰荣;金俊亨;宋根圭;洪雯杓 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/84 | 分类号： | H01L21/84;H01L51/40;H01L27/28;H01L51/05 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种制造平板显示器的方法，包括如下步骤：制备绝缘基板；在绝缘基板上形成分开的源电极和漏电极来界定沟道区域；在源电极和漏电极上形成第一钝化层；在第一钝化层上形成具有对应于沟道区域的开口的金属层；通过使用金属层作为掩模在第一钝化层中形成沉积开口来通过第一钝化层上的开口暴露沟道区域；在沉积开口内依次形成有机半导体层和第二钝化层；以及去除金属层、有机半导体层和第二钝化层，允许形成在沉积开口中的这些层保留。 | ||
| 搜索关键词： | 平板 显示器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制造平板显示器的方法，包括如下步骤：制备绝缘基板；在所述绝缘基板上形成分开的源电极和漏电极来界定沟道区域；在所述源电极和漏电极上形成第一钝化层；在所述第一钝化层上形成具有对应于所述沟道区域的开口的金属层；通过使用所述金属层作为掩模在所述第一钝化层中形成沉积开口来通过所述第一钝化层上的开口暴露所述沟道区域；在所述沉积开口内依次形成有机半导体层和第二钝化层；以及去除所述金属层、有机半导体层和第二钝化层，而允许形成在所述沉积开口中的这些层得以保留。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610106394.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：成像装置和光扫描设备
- 下一篇：手持式定线和划线工具
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
