[发明专利]半导体存储器件

摘要

本发明提供一种能够在待机时，以及动作时削减消耗电力的同时，存储器容量大规模化的半导体存储器件。存储单元排列(110)，以相对于相互相邻的两行存储单元一个的比例，设置源极线(SN0～SNk)。再有，对应于各源极线设置向各源极线提供比接地电位高而比电源电位低的源极偏压电位的源极偏压控制电路(121)。由源极偏压控制电路(121)，在待机期间，控制各源极线为被提供给上述源极偏压电位的状态的同时，在有效期间，控制与读出对象的存储单元非连接的源极线为被提供给上述源极偏压电位的状态。

主权项

1.一种半导体存储器件，由一个晶体管构成的存储单元设置成矩阵状，其特征为：包括：字线，对应于上述矩阵的各行设置的，公共连接对应行中各晶体管的栅极端子，位线，对应于上述矩阵的各列设置的，公共连接对应列中至少一个晶体管的漏极端子，源极线，对应于上述矩阵的每相互相邻两行设置的，公共连接上述两行的各晶体管的源极端子，预充电电路，对应于表示上述位线的预充电时间的预充电信号，将上述位线预充电到预充电电位，预充电信号发生电路，生成上述预充电信号，以及源极偏压控制电路，在进行为从上述存储单元读出数据的动作的有效期间，将与读出对象存储单元不连接的源极线中的至少一根源极线，控制为在被提供了比接地电位高而比电源电位低的源极偏压电位的状态。