[发明专利]DRAM芯片设备以及包括该设备的多芯片封装无效
| 申请号： | 200610106474.X | 申请日： | 2006-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN1885277A | 公开（公告）日： | 2006-12-27 |
| 发明（设计）人： | Y·福库佐 | 申请（专利权）人： | 秦蒙达股份公司 |
| 主分类号： | G06F12/00 | 分类号： | G06F12/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 顾珊;王忠忠 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 一种SDRAM存储器芯片设备包括用于操作非易失性存储器例如NAND闪存的非易失性存储控制器和FIFO存储缓冲器。该FIFO存储缓冲器用来操作FIFO缓冲器阵列和该非易失性存储器之间的背景存储和加载操作，同时主机系统比如CPU与该SDRAM工作存储器交换数据。因此，该SDRAM存储器芯片设备与传统SDRAM标准相比具有至少两个附加引脚以用于生成一组附加命令。这些命令由该FIFO存储缓冲器利用以管理在该FIFO缓冲器和该非易失性存储器以及该易失性SDRAM存储器中的一个之间的数据传输。两个反映该闪存存储器状态的另外的引脚提供由该主机系统发出的适当的加载或存储信号。 | ||
| 搜索关键词： | dram 芯片 设备 以及 包括 封装 | ||
【主权项】：
1、一种存储器芯片设备，包括：-第一接口，配置成在所述设备的动态随机存取存储器与主机系统之间提供通信；-该动态随机存取存储器；-用于控制非易失性存储器操作的控制器；第二接口，配置成在该控制器和该非易失性存储器之间提供通信；-多端口先进/先出存储缓冲器，其：a)通过第一数据传输总线与该动态随机存取存储器，以及b)通过第二数据传输总线与用于控制非易失性存储器操作的控制器连接，用于缓冲将在所述动态随机存取存储器或主机系统以及用于控制非易失性存储器操作的控制器之间传送的数据。
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