[发明专利]非易失性半导体集成电路器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200610106896.7 | 申请日： | 2006-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN1913132A | 公开（公告）日： | 2007-02-14 |
| 发明（设计）人： | 金兑炅;崔定爀 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L21/336;H01L21/28;H01L27/115;H01L29/788;H01L29/40 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 林宇清;谢丽娜 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 在用于制造半导体器件的方法中，顺序地在衬底上提供氧化物层、第一多晶硅层、以及第二多晶硅层。在第二多晶硅层上提供第一硬掩模图形。使用第一硬掩模图形作为掩模，构图氧化物层、第一多晶硅层和第二多晶硅层，以形成包括氧化物图形、第一多晶硅图形和第二多晶硅图形的下栅结构。蚀刻下栅结构，以提供下栅结构的侧壁上的氧化层。在包括氧化层的下栅结构上提供绝缘层。除去第一硬掩模图形，以在绝缘层中形成第一开口，该第一开口露出第二多晶硅图形。在第二多晶硅图形上的第一开口中形成金属图形，该第二多晶硅图形具有其侧壁上的氧化层。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 半导体 集成电路 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，包括：顺序地在衬底上提供氧化物层、第一多晶硅层、以及第二多晶硅层；在第二多晶硅层上提供第一硬掩模图形；使用第一硬掩模图形作为掩模，构图氧化物层、第一多晶硅层和第二多晶硅层，以形成包括氧化物图形、第一多晶硅图形和第二多晶硅图形的下栅结构；氧化下栅结构，以提供下栅结构的侧壁上的氧化层；在包括氧化层的下栅结构上提供绝缘层；除去第一硬掩模图形，以在绝缘层中形成第一开口，该第一开口露出第二多晶硅图形；以及在第二多晶硅图形上的第一开口中形成金属图形，该第二多晶硅图形具有其侧壁上的氧化层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
