[发明专利]磁记录介质及磁记录装置无效

专利信息
申请号: 200610107501.5 申请日: 2006-07-27
公开(公告)号: CN101046979A 公开(公告)日: 2007-10-03
发明(设计)人: 稻村良作;贝津功刚 申请(专利权)人: 富士通株式会社
主分类号: G11B5/66 分类号: G11B5/66;G11B5/667
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 代理人: 张龙哺
地址: 日本神奈*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 根据本发明,提供了一种磁记录介质10,其包括:非磁性的基底1;形成于该非磁性基底1上的非磁性衬层3;形成于该非磁性衬层3上的第一记录层4,第一记录层4具有垂直磁各向异性,其各向异性磁场为Hk1,厚度为t1,且饱和磁化强度为Ms1;及形成于该第一记录层4之上或之下的第二记录层5,该第二记录层5具有垂直磁各向异性,其各向异性磁场为Hk2,厚度为t2,且饱和磁化强度为Ms2;其中,该各向异性磁场Hk1、Hk2,厚度t1、t2,及饱和磁化强度Ms1、Ms2分别满足条件Hk2<Hk1及(t2·Ms2)/(t1·Ms1)。
搜索关键词: 记录 介质 装置
【主权项】:
1.一种磁记录介质,包括:基底构件;形成于该基底构件上的衬层;形成于该衬层上的第一记录层,该第一记录层具有各向异性磁场为Hk1 的垂直磁各向异性、t1的厚度以及Ms1的饱和磁化强度;及形成于该第一记录层之上或之下的第二记录层,该第二记录层与该第一记录层接触,并且该第二记录层具有各向异性磁场为Hk2的垂直磁各向异性、t2的厚度以及Ms2的饱和磁化强度;其中所述的各向异性磁场Hk1及Hk2、所述厚度t1及t2、以及所述的饱和磁化强度Ms1及Ms2分别满足Hk2<Hk1及(t2·Ms2)/(t1·Ms1)<1。
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