[发明专利]磁记录介质及其制造方法、以及磁记录设备无效

专利信息
申请号: 200610107630.4 申请日: 2006-07-28
公开(公告)号: CN101038753A 公开(公告)日: 2007-09-19
发明(设计)人: 稻村良作;贝津功刚 申请(专利权)人: 富士通株式会社
主分类号: G11B5/66 分类号: G11B5/66;G11B5/667;G11B5/84
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 代理人: 张龙哺
地址: 日本神奈*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 根据本发明,提供一种磁记录介质(11),其包括:非磁性基底构件(1);下部软磁衬层(2),其形成在该非磁性基底构件(1)上;非磁性层(4),其形成在该下部软磁衬层(2)上;上部软磁衬层(6),其形成在该非磁性层(4)上;以及记录层(9),其具有垂直磁各向异性,并且该记录层(9)形成在该上部软磁衬层(6)上;其中,在该下部软磁衬层(2)与该非磁性层(4)之间,或在该非磁性层(4)与该上部软磁衬层(6)之间形成晶体磁性层(3)和(5)。
搜索关键词: 记录 介质 及其 制造 方法 以及 设备
【主权项】:
1.一种磁记录介质,其包括:基底构件;下部软磁衬层,其形成在该基底构件上;非磁性层,其形成在该下部软磁衬层上;上部软磁衬层,其形成在该非磁性层上;以及记录层,其形成在该上部软磁衬层上,并具有垂直磁各向异性;其中,在该下部软磁衬层与该非磁性层之间,或在该非磁性层与该上部软磁衬层之间形成有晶体磁性层。
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