[发明专利]半导体器件及其驱动方法有效

专利信息
申请号: 200610107650.1 申请日: 2006-07-28
公开(公告)号: CN1905064A 公开(公告)日: 2007-01-31
发明(设计)人: 岩田周祐 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: G11C11/413 分类号: G11C11/413
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 张雪梅;刘杰
地址: 日本神奈*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: SRAM的工作包括写入和读出。当进行该工作时,整个存储器只有一部分工作而其他部分仅仅保持值而已。本发明的目的在于提供一种半导体器件,其中通过降低在保持值的期间中消耗的电流,实现低耗电量化。本发明是一种半导体器件:与写入或读出值的期间相比,降低在保持期间中的驱动电压。这种半导体器件具有电源控制电路,所述电源控制电路包括电连接到字线的OR电路;电连接到OR电路的倒相电路;以及电连接到OR电路及倒相电路的晶体管。
搜索关键词: 半导体器件 及其 驱动 方法
【主权项】:
1.一种半导体器件,包括电源控制电路和存储单元,其中,所述电源控制电路包括:第一字线;第二字线;包括一个输出终端和分别电连接到所述第一字线和所述第二字线的两个输入终端,并且当HIGH(高)电平输入到任何一方所述输入终端时HIGH电平输出到所述输出终端,当LOW(低)电平输入到双方的所述输入终端时LOW电平输出到所述输出终端的电路;其输入终端电连接到所述电路的所述输出终端的第一倒相电路;以及电连接到所述电路及所述第一倒相电路,并且将第一电压或比所述第一电压低的第二电压施加到所述存储单元的单元,并且,所述存储单元包括第二倒相电路,且电连接到所述第一字线及所述第二字线。
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