[发明专利]半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 200610107656.9 | 申请日： | 2006-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN1905146A | 公开（公告）日： | 2007-01-31 |
| 发明（设计）人： | 渡边了介;山田大干 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;G06K19/077;B29C65/48 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 浦柏明;梁永 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种具有优良的化学强度、物理强度和耐环境性的半导体器件。其要点如下：覆盖着具有集成电路的叠层体的一方表面粘合具有第一基材和第一粘合剂层的第一叠层膜，覆盖着所述叠层体的另一表面粘合具有第二基材和第二粘合剂层的第二叠层膜，由此密封所述叠层体之后，切断所述第一叠层膜和所述第二叠层膜。此外，用激光束照射因所述切断而暴露出来的第一叠层膜和第二叠层膜的切断表面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，包括如下步骤：粘合具有第一基材及第一粘合剂层的第一叠层膜，从而覆盖具有集成电路的叠层体的一方表面；通过粘合具有第二基材及第二粘合剂层的第二叠层膜来密封所述叠层体，从而覆盖所述叠层体的另一表面；切断所述第一叠层膜及所述第二叠层膜，从而使所述第一叠层膜及所述第二叠层膜的侧面暴露；以及用激光束照射所述第一叠层膜及所述第二叠层膜的所述侧面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
