[发明专利]半导体器件的制造方法

摘要

本发明的目的在于提供一种技术，以高成品率制造高可靠性的半导体器件和显示器件。本发明使用设置有衍射光栅图形或辅助图形的曝光掩模作为曝光掩模，所述辅助图形由半透膜构成并且具有光强度降低功能。当使用这种曝光掩模时，可以进一步正确地进行多种多样的曝光的控制，从而可以将抗蚀剂加工成进一步精密的形状。由此，在使用这种掩模层的情况下，可以通过相同的步骤以适合于所要求的性能的不同形状对导电膜或绝缘膜进行形状上的加工。因此，能够制造具有不同特性的薄膜晶体管和不同尺寸或形状的布线，而不增加步骤。

主权项

1.一种半导体器件的制造方法，包括如下步骤：形成第一半导体层和第二半导体层；在所述第一半导体层和所述第二半导体层上形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成第一导电膜；在所述第一导电膜上形成第二导电膜；在第二导电膜上，使用以多个强度透光的曝光掩模，在所述第一半导体层上形成第一掩模层，在所述第二半导体层上形成第二掩模层；使用所述第一掩模层和所述第二掩模层蚀刻所述第一导电膜和所述第二导电膜，来分别形成第一栅极层和第二栅极层以及第三栅极层和第四栅极层；使用所述第一栅极层和所述第二栅极层作为掩模将赋予一种导电类型的杂质元素添加到所述第一半导体层中，并且，使用所述第三栅极层和所述第四栅极层作为掩模将赋予一种导电类型的杂质元素添加到所述第二半导体层中，由此，在第一半导体层中形成第一高浓度杂质区域和与所述第一栅极层重叠的第一低浓度杂质区域，在第二半导体层中形成第二高浓度杂质区域和与所述第三栅极层重叠的第二低浓度杂质区域；在所述第二半导体层、所述第三栅极层以及所述第四栅极层上形成第三掩模层；并且使用所述第三掩模层和所述第二栅极层作为掩模，去除与所述第一低浓度杂质区域重叠的所述第一栅极层的一部分。