[发明专利]半导体激光元件有效

专利信息
申请号: 200610107798.5 申请日: 2006-07-21
公开(公告)号: CN1929218A 公开(公告)日: 2007-03-14
发明(设计)人: 落合真尚;汤浅功治 申请(专利权)人: 日亚化学工业株式会社
主分类号: H01S5/00 分类号: H01S5/00;H01S5/10
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 李贵亮
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种可以适应高输出化或短波长化的具有端面保护膜的半导体激光元件。本发明是在光谐振器端面的至少一方上具有电介质膜的半导体激光元件,所述电介质膜是从所述半导体的端面侧开始依次形成由相同元素构成的第一电介质膜和第二电介质膜而成的,所述第一电介质膜含有由单晶构成的膜,所述第二电介质膜含有由非晶质构成的膜。
搜索关键词: 半导体 激光 元件
【主权项】:
1.一种半导体激光元件,是在光谐振器端面的至少一方上具有电介质膜的半导体激光元件,其特征是,所述电介质膜是从半导体的端面侧开始依次形成由相同元素构成的第一电介质膜和第二电介质膜而成的,所述第一电介质膜含有由单晶构成的膜,所述第二电介质膜含有由非晶质构成的膜,所述第一电介质膜和第二电介质膜的组成比大致相同。
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