[发明专利]薄膜晶体管的形成方法无效
| 申请号： | 200610107833.3 | 申请日： | 2006-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN1905139A | 公开（公告）日： | 2007-01-31 |
| 发明（设计）人： | 丰田直之 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/20 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种利用了激光工艺的薄膜晶体管的形成方法。薄膜晶体管的形成方法包括：第一工序，在元件侧基板设置源电极以及漏电极；第二工序，设置覆盖所述源电极以及漏电极的半导体层；第三工序，设置重叠在所述半导体层的栅极绝缘层；和第四工序，设置重叠在所述半导体层层的栅极绝缘层。而且，所述第二工序包括：(a)将第一施主基板重叠在所述元件侧基板的工序，所述施主基板具有第一底部基板、所述第一底部基板上的第一烧蚀层、和所述第一烧蚀层上的施主侧半导体层；和(b)对所述第一烧蚀层照射第一激光束，使得所述施主侧半导体层的至少一部分从所述第一施主基板被转印到所述元件侧基板，来得到所述半导体层的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 形成 方法 | ||
【主权项】：
1、一种薄膜晶体管的形成方法，包括：第一工序，在元件侧基板设置源电极以及漏电极；第二工序，设置与所述源电极以及漏电极接触的半导体层；第三工序，设置重叠在所述半导体层的栅极绝缘层；和第四工序，设置重叠在所述栅极绝缘层的栅电极，所述第二工序包括通过激光工艺，设置所述半导体层的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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