[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

将具有以多级层叠芯片的结构的半导体器件制薄。在将聚焦点置于半导体晶片的半导体衬底的内部的情况下，通过照射激光束形成改性区。然后，在通过旋涂方法将液态的接合材料涂覆到半导体晶片的背表面后，使其干燥并形成固体状粘合层。然后，通过使上述改性区成为分割起点，将半导体晶片分割成每个半导体芯片。通过利用背表面的粘合层将该半导体芯片粘贴在其它半导体芯片的主表面上，制造具有以多级层叠芯片的结构的半导体器件。

主权项

1.一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤：(a)制备布线衬底，所述布线衬底具有沿着厚度方向互为相对侧的主表面和背表面；(b)将第一芯片安装在所述布线衬底的主表面上方；以及(c)将第二芯片堆叠在所述第一芯片上方，并通过背表面的固态粘合层将所述第二芯片粘附在所述第一芯片上方；其中所述第二芯片的形成步骤包括以下步骤：制备晶片，所述晶片具有沿着厚度方向互为相对侧的主表面和背表面；在所述晶片的所述主表面中形成元件；在所述晶片的所述主表面上方形成布线层；将所述晶片制薄；通过将聚焦点置于所述晶片的内部，沿着所述晶片的芯片分离区域照射激光，形成改性区，所述改性区在后面的晶片切割步骤中用作所述晶片的分割起点；通过旋涂方法将液态的接合材料涂覆到所述晶片的背表面，并在所述晶片的背表面上方形成所述固态粘合层；以及利用所述改性区作为起始点，对所述晶片进行切割，并获得在背表面上方具有所述固态粘合层的所述第二芯片。