[发明专利]垂直磁记录介质和磁存储装置无效
| 申请号： | 200610107996.1 | 申请日： | 2006-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN101046980A | 公开（公告）日： | 2007-10-03 |
| 发明（设计）人： | 安东尼·阿扬;杉本利夫 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/66 | 分类号： | G11B5/66;G11B5/667;G11B5/70 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张龙哺 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开一种垂直磁记录介质，其能够防止发生广域磁道擦除现象并能够进行高密度记录。该垂直磁记录介质包括：衬底；软磁衬层，位于该衬底上；分离层，位于该软磁衬层上，并由非磁性材料形成；磁通控制层，位于该分离层上；以及记录层，位于该磁通控制层上，并具有垂直于该衬底表面的易磁化轴。该磁通控制层由多晶铁磁材料形成，该多晶铁磁材料具有垂直于该衬底表面的易磁化轴。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 记录 介质 存储 装置 | ||
【主权项】：
1.一种垂直磁记录介质，包括：衬底；软磁衬层，位于该衬底上；分离层，位于该软磁衬层上，并由非磁性材料形成；磁通控制层，位于该分离层上；以及记录层，位于该磁通控制层上，所述记录层具有垂直于该衬底表面的易磁化轴，其中，该磁通控制层由多晶铁磁材料形成，该多晶铁磁材料具有垂直于该衬底表面的易磁化轴。
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