[发明专利]激光辐照方法和激光辐照装置以及制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 200610108083.1 | 申请日： | 2002-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN1913105A | 公开（公告）日： | 2007-02-14 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;田中幸一郎 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/268;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 顾珊;梁永 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 当在适当的条件下激光束辐照到半导体膜上时，与激光束的扫描方向相关半导体膜可被晶化为类似单晶的晶粒(激光退火)。本发明研究了最有效的激光退火条件。当其上形成半导体膜的矩形基片的一侧的长度为b时，扫描速度为V，获得相对于基片的激光束的扫描速度V所需的加速度为g，并且当满足V＝(gb/5.477) 1/2时，激光退火所需的时间最短。使加速度g为常量，但是，当它为时间的函数时，其时间平均值可用于替代该常量。 | ||
| 搜索关键词： | 激光 辐照 方法 装置 以及 制造 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：形成具有非晶结构的半导体膜；以及通过利用激光束以相对扫描速度V扫描半导体膜来结晶化半导体膜，其中，当获得扫描速度V所需要的加速度为g并且在其上形成半导体膜的基片一侧的长度为b时，扫描速度V满足(gb/5.477)1/2/2＜V＜2(gb/5.477)1/2。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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