[发明专利]半导体集成电路装置

摘要

半导体集成电路装置能提升漏电流检测电路的检测灵敏度和提高响应。半导体集成电路装置具有衬底电压控制块，将衬底电压提供给内部电路以及控制内部电路的NchMOS晶体管阈值电压，以及漏电流检测电路，由将高电位端电源电压提供给漏极、具有连接到恒流源的源极以及将任何稳定电位施加到栅极，以这种方式，由衬底电压控制块控制衬底电压的漏电流检测NchMOS晶体管和比较漏电流检测NchMOS晶体管的源极电位和预定参考电位的比较器构成。

主权项

1.一种半导体集成电路装置，包括：在半导体衬底上具有多个MIS晶体管的内部电路；衬底电压控制块，将衬底电压提供给内部电路，以及控制用于内部电路的MIS晶体管的阈值电压；漏电流检测MIS晶体管，将任意电位的电源电压提供给漏极，具有连接到恒流源的源极，以及将任意稳定电位施加到栅极，以这种方式，由衬底电压控制块控制衬底电压；以及漏电流检测电路，由比较器构成，比较漏电流检测MIS晶体管的源极电位与预定参考电位；其中，衬底电压控制块基于比较器的比较结果，生成衬底电压以及将所生成的衬底电压施加到漏电流检测MIS晶体管的衬底和内部电路的MIS晶体管的衬底。