[发明专利]薄膜晶体管基板有效
申请号: | 200610108171.1 | 申请日: | 2006-07-31 |
公开(公告)号: | CN1909236A | 公开(公告)日: | 2007-02-07 |
发明(设计)人: | 陈雅洁;詹德威;樊祥彬 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L23/522;G02F1/136 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波;侯宇 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种薄膜晶体管基板,包括基底、多条扫描线、多条数据线和像素单元。扫描线设置在基底上,数据线设置在扫描线上,数据线与扫描线垂直以定义出多个像素区。像素单元设置在基底上,并位于像素区内,像素单元包括薄膜晶体管和像素电极。薄膜晶体管包括源极和漏极,像素电极与漏极电连接,像素电极包括第一主线电极、第二主线电极和多条分支电极。第一主线电极与第二主线电极垂直,分支电极与第一主线电极和/或第二主线电极连接,第一主线电极大体上将像素区的面积均分,薄膜晶体管基本上对应于第一主线电极的一端。 | ||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 | ||
【主权项】:
1、一种薄膜晶体管基板,包括:基底;多个扫描线,设置在该基底上;多个数据线,设置在该基底上,并与该些扫描线垂直,以定义出多个像素区;和像素单元,设置在该基底上,并位于其中该像素区内,该像素单元包括:薄膜晶体管,包括源极和漏极;和像素电极,与该漏极电连接,该像素电极包括第一主线电极、第二主线电极和多条分支电极,该第一主线电极与该第二主线电极垂直,该分支电极与该第一主线电极和/或该第二主线电极连接,该第一主线电极大体上将该像素区的面积均分,该薄膜晶体管基本上对应于该第一主线电极的一端。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于友达光电股份有限公司,未经友达光电股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200610108171.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的