[发明专利]用于形成生长的活性P型III－V族氮化物化合物的方法无效
| 申请号： | 200610108207.6 | 申请日： | 2006-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN1921158A | 公开（公告）日： | 2007-02-28 |
| 发明（设计）人： | 李家铭;陈宗良 | 申请（专利权）人： | 泰谷光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;C30B29/40;C30B29/38 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 程大军 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 在实施用于生长的活性P型III－V族氮化物层的方法时，将引入基板并设置于反应室中，并将其加热。接着，将氮气载气以及反应化合物送入反应室中，反应化合物包括源自第III族元素的化合物、源于氮的化合物、以及P型杂质。借此产生化学反应，以形成生长的活性P型III－V族氮化物层。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 形成 生长 活性 iii 氮化物 化合物 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于形成活性p型III-V族氮化物层的方法，其包括：在反应室中引入氮气(N2)载气，该反应室中设置有处于反应温度下的基板；以及在反应室中引入至少一种源于第III族元素的化合物、一种源于氮的化合物以及一种P型杂质，进而引发化学反应，形成活性P型III-V族氮化物层。
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