[发明专利]离子注入掩模及其制造方法,使用离子注入掩模的碳化硅半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200610108343.5 | 申请日： | 2006-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN1909191A | 公开（公告）日： | 2007-02-07 |
| 发明（设计）人： | 野中贤一;桥本英喜;横山诚一;岩黑弘明;西川恒一;清水正章;福田裕介 | 申请（专利权）人： | 本田技研工业株式会社;新电元工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/266 | 分类号： | H01L21/266;H01L21/337;H01L29/80 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁香兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明披露了一种离子注入掩模(10)的制造方法，该方法包括以下步骤：在半导体基材(11)的整个表面上形成作为保护膜的氧化物膜(12)；在所述氧化物膜(12)上形成金属薄膜(13)；在所述金属薄膜(13)上形成由离子阻止性金属构成的离子阻止层(14)。所得的离子注入掩模(10)可以用来形成较深的选择性导电区域。 | ||
| 搜索关键词： | 离子 注入 及其 制造 方法 使用 碳化硅 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种离子注入掩模，所述离子注入掩模包含：在半导体基材(11)的整个表面上形成的作为保护膜的氧化物膜(12)；由离子阻止性金属构成的离子阻止层(14)；和布置在所述氧化物膜(12)与所述离子阻止层(14)之间以将所述氧化物膜(12)与所述离子阻止层(14)粘结在一起的金属薄膜(13)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
