[发明专利]用于高速和高频器件的芯片间ESD保护结构及其形成方法有效
| 申请号： | 200610108356.2 | 申请日： | 2006-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN1909230A | 公开（公告）日： | 2007-02-07 |
| 发明（设计）人： | S·H·沃尔德曼 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L25/00 | 分类号： | H01L25/00;H01L23/60;H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于静;刘瑞东 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及用于包括一个或多个直接、芯片间信号发送路径的高速和高频器件的芯片间静电放电(ESD)保护结构。具体地说，本发明涉及一种结构，包括：(1)第一芯片，包括第一电路，(2)第二芯片，包括第二电路，(3)中间绝缘层，位于所述第一和第二芯片之间，其中所述第一和第二电路形成用于穿过所述中间绝缘层发送信号的信号发送路径。在所述结构中，在所述第一和所述第二芯片之间穿过所述中间绝缘层提供静电放电(ESD)保护路径，以保护信号发送路径不受ESD损坏影响。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 高速 高频 器件 芯片 esd 保护 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种结构，包括：第一芯片，包括第一电路；第二芯片，包括第二电路；中间绝缘层，位于所述第一和第二芯片之间，其中所述第一和第二电路形成用于穿过所述中间绝缘层发送信号的信号发送路径；以及静电放电(ESD)保护路径，在所述第一和第二芯片之间，穿过所述中间绝缘层。
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