[发明专利]与非门型非挥发性存储器及其制造方法与操作方法无效

专利信息
申请号: 200610108412.2 申请日: 2006-08-02
公开(公告)号: CN101118907A 公开(公告)日: 2008-02-06
发明(设计)人: 郭兆玮;赵志明;黄汉屏;魏鸿基;毕嘉慧 申请(专利权)人: 力晶半导体股份有限公司
主分类号: H01L27/115 分类号: H01L27/115;H01L23/522;H01L21/8247;H01L21/768;G11C16/02
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 陶凤波
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种与非门型非挥发性存储器,其具有多个存储单元行。各存储单元行包括源极区与漏极区、多个存储单元、多个传输栅极、第一选择晶体管与第二选择晶体管。源极区与漏极区设置在基板中。多个存储单元设置在源极区与漏极区之间的基板上,各个存储单元包括一个存储单元与一个晶体管,且存储单元与晶体管并联连接在一起。多个传输栅极分别设置在相邻两存储单元之间的基板上,而使存储单元串联连接在一起。第一选择晶体管与第二选择晶体管分别与最外侧的两个存储单元连接,且分别与源极区与漏极区相邻。
搜索关键词: 与非门 挥发性 存储器 及其 制造 方法 操作方法
【主权项】:
1.一种与非门型非挥发性存储器,包括多个存储单元行,各该存储单元行包括:源极区与漏极区,设置在基板中;多个存储单元,设置在该源极区与该漏极区之间的该基板上,各该存储单元包括存储单元与晶体管,该存储单元与该晶体管并联连接在一起;多个传输栅极,分别设置在相邻两该存储单元之间的该基板上,而使该存储单元串联连接在一起;和第一选择晶体管与第二选择晶体管,分别与最外侧的该两存储单元连接,且分别与该源极区与该漏极区相邻。
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