[发明专利]形成闪存器件的电阻器的方法

摘要

本发明涉及一种形成闪存器件的电阻器的方法，包括：蚀刻在半导体衬底上所设置的隔离结构从而形成第一沟槽。在隔离结构的第一沟槽内形成多晶硅结构。在多晶硅结构上形成电介质层。在电介质层上形成多晶硅层。蚀刻多晶硅层以在多晶硅层中定义第二和第三沟槽。第二和第三沟槽把多晶硅层分隔成第一、第二和第三部分，其中第一和第三部分接触多晶硅结构，第二部分与第一和第三部分分隔开。在已蚀刻的多晶硅层上方形成绝缘膜，绝缘膜填充第二和第三沟槽。多晶硅层的第一部分、多晶硅结构和多晶硅层的第三部分定义电阻器。

主权项

1、一种形成闪存器件的电阻器的方法，该方法包括：蚀刻设置在半导体衬底上的隔离结构从而形成第一沟槽；在该隔离结构的该第一沟槽内形成多晶硅结构；在该多晶硅结构之上形成电介质层；在该电介质层上形成多晶硅层；蚀刻该多晶硅层从而在该多晶硅层中定义第二和第三沟槽，该第二和第三沟槽把该多晶硅层分隔成第一、第二和第三部分，该第一和第三部分接触该多晶硅结构，该第二部分与该第一和第三部分分隔开；以及在已蚀刻的该多晶硅层上方形成绝缘膜，该绝缘膜填充该第二和第三沟槽，其中该多晶硅层的该第一部分、该多晶硅结构和该多晶硅层的该第三部分定义电阻器。