[发明专利]场效应晶体管及其应用器件有效
| 申请号： | 200610108461.6 | 申请日： | 2003-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN1901226A | 公开（公告）日： | 2007-01-24 |
| 发明（设计）人： | 北川光彦;相泽吉昭 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H03K17/78 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 胡建新 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供场效应晶体管及其应用器件，可兼顾低导通阻抗和高耐压且输出电容(Cgd等)小。场效应晶体管具有：第1导电型的基极层，设置在绝缘衬底的表面上；第2导电型的源极层，选择性地形成在基极层的表面上；第2导电型的漏极层，形成在与第1导电型的基极层分离的绝缘衬底上；漂移层，形成在基极层和漏极层之间的区域；以及栅电极，间隔着栅极绝缘膜而形成在至少基极层的表面上；其中，漂移层具有大于基极层的阻抗，形成在基极层和漏极层之间；而且，栅电极被施加大于等于源极层和漏极层之间的耐压的栅极电压。通过这种结构，在栅极、源极和漏极为0电位时，依靠n型漂移层和p型漂移层间或栅极电极的电势，栅极附近被耗尽。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 及其 应用 器件 | ||
【主权项】：
1.一种场效应晶体管，其中，具有：第1导电型的基极层，设置在绝缘衬底的表面上；第2导电型的源极层，选择性地形成在上述基极层的表面上；第2导电型的漏极层，形成在与上述第1导电型的基极层分离的上述绝缘衬底上；漂移层，形成在上述基极层和上述漏极层之间的区域；以及栅电极，间隔着栅极绝缘膜而形成在至少上述基极层的上述表面上；其中，上述漂移层具有大于上述基极层的阻抗，形成在上述基极层和上述漏极层之间；而且，上述栅电极被施加大于等于上述源极层和上述漏极层之间的耐压的栅极电压。
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