[发明专利]双栅多位半导体存储器有效
| 申请号： | 200610108465.4 | 申请日： | 2006-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN1941201A | 公开（公告）日： | 2007-04-04 |
| 发明（设计）人： | 何家骅;吕函庭 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04;G11C16/06;G11C11/56 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 韩宏 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种改变及读取存储器单元内容的方法包括下列步骤：施加编程电压给第一控制栅极以及第二控制栅极，以使载流子被注入及陷获于第一电荷陷获区域内或第二电荷陷获区域内；施加擦除电压给第一控制栅极及第二控制栅极，使该被陷获的载流子从第一电荷陷获区域及/或第二电荷陷获区域移出；及施加一系列读取电压给第一控制栅极及第二控制栅极，以决定第一位的状态及第二位的状态。 | ||
| 搜索关键词： | 双栅多位 半导体 存储器 | ||
【主权项】：
1、一种改变及读取存储器单元内容的方法，该存储器单元包括位于衬底内的漏极、源极及在两者之间的沟道，覆盖该沟道的第一电荷陷获区域及第二电荷陷获区域，及分别靠近该第一电荷陷获区域及该第二电荷陷获区域的第一控制栅极及第二控制栅极，该单元分布储存第一位与第二位，该第一位由陷获于该第一电荷陷获区域内的电荷存在与否表示，该第二位由被陷获于该第二电荷陷获区域内的电荷存在与否表示，该方法包括：施加编程电压给该第一控制栅极与该第二控制栅极，以使载流子被注入及陷获于该第一电荷陷获区域内或该第二电荷陷获区域内，其中被陷获的该载流子表示该第一位或该第二位各自的编程状态；施加擦除电压给该第一控制栅极及给该第二控制栅极，使被陷获的该载流子从该第一电荷陷获区域及/或该第二电荷陷获区域移出，在该第一电荷陷获区域及/或第二电荷陷获区域没有被陷获载流子表示该第一位或该第二位各自的擦除状态；以及施加一系列的读取电压给该第一控制栅极及该第二控制栅极，以决定该第一位的状态及该第二位的状态。
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