[发明专利]磁存储器件无效
| 申请号： | 200610108532.2 | 申请日： | 2006-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN1905061A | 公开（公告）日： | 2007-01-31 |
| 发明（设计）人： | 江崎城一朗;柿沼裕二 | 申请（专利权）人： | TDK股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 沈昭坤 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明揭示一种能高速读出信息的磁存储器件。包括：二维排列的多个存储单元(1)，使读出信息用的读出电流(Ib1、Ib2)从第1电源(电源电压Vcc)流到各存储单元(1)的多条读出位线(5)和多条读出字线(6)，连接到读出位线(5)的一部分的、将低于电源电压Vcc的中间电压Vry施加在读出位线(5)的Y方向中间电压生成电路(25)，以及连接到读出字线(6)的一部分的、将低于电源电压Vcc的中间电压Vrx施加在读出字线(6)的X方向中间电压生成电路(35)。 | ||
| 搜索关键词： | 磁存储器 | ||
【主权项】：
1.一种磁存储器件，其特征在于，包括二维配置的多个存储单元；将用于读出信息用的读出电流，从第1电源流过所述各存储单元的读出用线路；以及连接到该读出用线路的至少一部分上，并将低于所述第1电源的电源电压的中间电压施加在读出用线路上的第2电源。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于TDK股份有限公司，未经TDK股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610108532.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
