[发明专利]电子器件及电子器件的制造方法无效
| 申请号： | 200610108603.9 | 申请日： | 2006-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN1905137A | 公开（公告）日： | 2007-01-31 |
| 发明（设计）人： | 森山英和 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205;H01L21/288;H01L21/60;H01L23/482 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明为解决上述的课题，其目的在于，提供一种用于以高生产率制造可靠性优异的电子器件的电子器件制造方法，以及通过该制造方法制造的电子器件。集成电路(1)包括双层构造的接合焊盘(8)，该接合焊盘(8)经由接触孔(10)与导电布线(5)连接，接合焊盘(8)包括：与接合引线(9)接合的表面层(7)；和提高表面层(7)与被覆层(4)的密接性的基底层(6)，基底层(6)及表面层(7)是通过液滴喷出法而形成的层，在适合使用液滴喷出法的条件下，使用可液状体化的Ni及Au作为材料。 | ||
| 搜索关键词： | 电子器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电子器件的制造方法，在Si层乃至Si系绝缘层上形成有由基底层与表面层构成的接合焊盘，该制造方法具有：在所述Si层乃至Si系绝缘层上，通过液滴喷出法，使用包含从Ni、Cr、Mn乃至这些的化合物中选择的一种以上的材料的液状体，形成所述基底层的工序；和通过液滴喷出法，在所述基底层上重叠形成所述表面层的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
