[发明专利]具有折叠位线排列的存储单元排列及相应制造方法

摘要

本发明提供了一种制造具有折叠位线排列的存储单元排列的方法以及一种相应的存储单元排列。该方法具有以下步骤：在半导体基板中沿第一方向形成多个有源区；在半导体基板中沿第二方向形成多条平行掩埋字线；在两条字线之间形成各个源极区，以及在每个有源区中在两条字线之一与相邻隔离沟槽之间形成第一和第二漏极区；在半导体基板的表面沿第三方向形成具有折叠位线排列的多条平行位线；形成多个存储电容器；第一方向位于第二和第三方向之间，并且存储单元排列具有每个存储单元8F²的大小；以及蚀刻步骤，根据要形成的字线，来形成多条字线沟槽。

主权项

1、一种制造具有折叠位线排列的存储单元排列的方法，包括以下步骤：在半导体基板(1)中沿第一方向(I)形成多个有源区(AA1-AA3)，所述有源区的所有侧面被隔离沟槽(10a-d)围绕；在半导体基板(1)中沿第二方向(x)形成多条平行的掩埋字线(WL1-WL4)，所述字线穿过所述有源区(AA1-AA3)，其中，彼此隔开并且与隔离沟槽(10a-d)隔开的两条掩埋字线(WL3、WL4)穿过各个有源区(AA1-AA3)，并且掩埋字线(WL1-WL4)通过栅极介电层(30)与半导体基板(1)中的沟道区(K)隔离；在两条字线(WL3、WL4)之间形成各个源极区(S)，以及在每个有源区中在两条字线(WL3、WL4)之一与相邻隔离沟槽(10a、10b)之间形成第一和第二漏极区；在半导体基板(1)的表面沿第三方向(y)形成具有折叠位线排列的多条平行位线(BL1-BL4)，所述多条平行位线(BL1-BL4)沿与第二方向(x)垂直的方向延伸，其中，位线(BL1)穿过相关联的有源区(AA1)，并且与相关联有源区(AA1)的相关源极区(S)接触；形成多个存储电容器(C1a-C3b)，其中，第一和第二存储电容器(C1a、C1b)与各个有源区(AA1)内的相关联漏极区(D1、D2)相连；第一方向(I)位于第二和第三方向(x，y)之间，并且存储单元排列具有每个存储单元8F2的大小，其中，F是长度单位；以及蚀刻步骤，根据要形成的字线(WL1-WL4)，来形成穿过半导体基板(1)和隔离沟槽(10a-d)的多条字线沟槽(14a-c)，与用于在半导体基板(1)中形成隔离沟槽(10a-d)的步骤独立地来实现该步骤。