[发明专利]磁阻效应元件以及搭载该元件的不挥发性磁存储器有效
| 申请号： | 200610108923.4 | 申请日： | 2006-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN1905229A | 公开（公告）日： | 2007-01-31 |
| 发明（设计）人： | 早川纯;大野英男;池田正二 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所;国立大学法人东北大学 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L27/22;G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人： | 钟晶 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供高速且耗电极少的不挥发性存储器。在不挥发性存储器上，配备了高输出的隧道磁阻效应元件，应用通过自旋转移力矩的写入方式。隧道磁阻效应元件(1)具有层叠了含有Co、Fe和B的体心立方结构的强磁性膜(304)、在(100)取向的岩盐结构的MgO绝缘膜(305)、以及强磁性膜(306)的结构。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 效应 元件 以及 搭载 挥发性 磁存储器 | ||
【主权项】：
1.隧道磁阻效应元件，其为具有绝缘膜和被设置成为夹着所述绝缘膜的第一强磁性膜和第二强磁性膜的隧道磁阻效应元件，其特征在于：所述第一强磁性膜是含有Co、Fe和B的体心立方结构的膜，所述绝缘膜是在(100)取向的岩盐结构的MgO膜。
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