[发明专利]阵列基板的形成方法有效
| 申请号： | 200610109002.X | 申请日： | 2006-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN1888967A | 公开（公告）日： | 2007-01-03 |
| 发明（设计）人： | 杨智钧;石志鸿;黄明远 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/136 | 分类号： | G02F1/136;G03F7/20;G02F1/1333;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种利用激光剥除工艺形成阵列基板的方法。利用激光可将透明导电层下的光致抗蚀剂层和光致抗蚀剂层上的导电层同时移除，并保留其它部分的透明导电层，而不需额外的光掩模。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种阵列基板的形成方法，包括：分别形成接触垫、薄膜晶体管、像素区和储存电容于基板上；形成保护层于该接触垫、该薄膜晶体管、该像素区和该储存电容上；形成光致抗蚀剂层于该保护层上；图案化该光致抗蚀剂层后，移除未被该光致抗蚀剂层屏蔽的保护层，且露出该像素区、部分该薄膜晶体管、部分该储存电容和部分该接触垫；沉积透明导电层于该光致抗蚀剂层和露出的该像素区、部分该薄膜晶体管、部分该储存电容和部分该接触垫上；并且进行激光剥除工艺，移除该光致抗蚀剂层及其上的该透明导电层，并留下该像素区、部分该薄膜晶体管、部分该储存电容和部分该接触垫上的该透明导电层。
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