[发明专利]发光装置有效
申请号: | 200610109036.9 | 申请日: | 2001-11-12 |
公开(公告)号: | CN1905206A | 公开(公告)日: | 2007-01-31 |
发明(设计)人: | 山崎舜平 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H05B33/12 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 梁永 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 在有源矩阵驱动的发光装置中,在薄膜晶体管上,在包含氮化硅或氧氮化硅的第三绝缘层与包含碳作为其主要成分的第四绝缘层之间,形成具有阳极、包含有机化合物的层和包含碱金属的阴极的发光元件。所述发光元件形成于分隔层之间,后者是由绝缘材料制成的并且具有倒锥形。 | ||
搜索关键词: | 发光 装置 | ||
【主权项】:
1.一种含有显示部分的电子设备,所述显示部分包括:形成在衬底上面的薄膜晶体管;形成在所述薄膜晶体管上面的至少一个绝缘膜;形成在所述绝缘膜上面的发光元件,所述发光元件包括第一电极、第二电极和形成在第一电极、第二电极之间的发光层;和形成在所述绝缘膜上面的分隔层;其中所述发光元件形成在所述分隔层之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的