[发明专利]电流控制硅互补金属氧化物半导体宽带数据放大器电路

摘要

本发明涉及一种用于减小差分和共模反射的电流控制CMOS(C3MOS)宽带输入数据放大器。本发明公开了一种新的解决方案，通过该方案可以在接口处获得更好的阻抗匹配和扩展带宽、以提高高频增益，所述接口是应用于通信设备之中的硅片与封装和/或电路板之间的接口。恰当选择的阻抗使差分和共模阻抗显著较小，同时增加较高频段的增益。所述新的解决方案可以在使用相对较小的迹线和元件的同时避免使用小的迹线和元件时的反射增强的不良影响。通过允许使用这些小的迹线和元件，在提供良好的反射和频率相应特性的同时，能量消耗和整个设备尺寸也将显著减小。

主权项

1、一种电流控制硅互补金属氧化物半导体宽带数据放大器电路，其特征在于，所述电路包括：第一差分晶体管，所述晶体管包括源极、栅极和漏极；第二差分晶体管，所述晶体管包括[源极、栅极和漏极；电流源，其与第一差分晶体管的源极和第二差分晶体管的源极相耦合；第一输出阻抗，其包括第一输出电阻和与之串连的第一并联峰化电感，所述第一输出阻抗耦合在第一差分晶体管的漏极和电源电压之间；第二输出阻抗，其包括第二输出电阻和与之串连的第二并联峰化电感，所述第二输出阻抗耦合在第二差分晶体管的漏极和电源电压之间；差分终端阻抗，其耦合于第一差分晶体管的栅极和第二差分晶体管的栅极之间；第一输入阻抗，其耦合于所述硅互补金属氧化物半导体宽带数据放大器电路的第一差分输入和第一差分晶体管的栅极之间；以及第二输入阻抗，其耦合于所述硅互补金属氧化物半导体宽带数据放大器电路的第二差分输入和第二差分晶体管的栅极之间。