[发明专利]场效应晶体管及其制造方法无效
| 申请号： | 200610109136.1 | 申请日： | 2006-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN1909247A | 公开（公告）日： | 2007-02-07 |
| 发明（设计）人： | 木下敦宽;古贺淳二 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 张浩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种场效应晶体管包括第一导电型的第一半导体区、隔着栅极绝缘膜形成在第一半导体区的沟道区上的栅电极、被形成为将沟道区置于之间的源漏电极、形成在源漏电极和沟道区之间的第二导电型的第二半导体区和形成在源漏电极和第一和第二半导体区中每个之间的第二导电型的第三半导体区，该第二半导体区产生了源漏电极的延伸区，该第三半导体区通过从源漏电极的偏析而形成并具有比第二半导体区更高的杂质浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种场效应晶体管，包括：第一导电型的第一半导体区，在该半导体区上形成有沟道区；在第一半导体区的沟道区上形成的栅电极，栅极绝缘膜形成在所述栅电极和沟道区之间；在第一半导体区上形成的源漏电极，第一半导体区的沟道区在沟道长度方向上插入在源漏电极之间；在每个源漏电极和沟道区之间形成的第二导电型的第二半导体区，每个第二半导体区形成每个源漏电极的延伸区；和在每个源漏电极和第一和第二半导体区中每个之间形成的第二导电型的第三半导体区，每个第三半导体区通过从源漏电极偏析形成并具有比第二半导体区更高的杂质浓度。
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