[发明专利]具有各向异性硬偏置而没有缓冲层的磁致电阻传感器无效
| 申请号： | 200610109193.X | 申请日： | 2006-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN1971716A | 公开（公告）日： | 2007-05-30 |
| 发明（设计）人： | 詹姆斯·M·弗赖塔格;马斯塔法·M·平纳巴西 | 申请（专利权）人： | 日立环球储存科技荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G11B5/39 | 分类号： | G11B5/39;G01R33/09;H01L43/08 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 荷兰阿*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明涉及一种磁致电阻传感器，其具有用于偏置传感器的自由层的磁各向异性偏置层。该硬磁层形成在籽层结构上，该籽层结构已经被处理从而在该硬磁层中诱发磁各向异性。所述被处理的籽层还允许该硬偏置层例如在部分研磨设计中沉积在晶体材料上，而不需要例如Si的缓冲层来中断下面的晶体层发动的外延生长。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 各向异性 偏置 没有 缓冲 致电 传感器 | ||
【主权项】：
1.一种磁致电阻传感器，包括：衬层；具有以各向异性粗糙度配置的表面的籽层；以及形成在该籽层之上的硬磁材料。
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