[发明专利]一种硅基侧栅单电子晶体管及其制作方法有效
| 申请号： | 200610109561.0 | 申请日： | 2006-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN101123272A | 公开（公告）日： | 2008-02-13 |
| 发明（设计）人： | 龙世兵;王琴;李志刚;刘明;陈宝钦 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种硅基侧栅单电子晶体管，该单电子晶体管包括：库仑岛、位于库仑岛两侧的源和漏、连接库仑岛与源的隧道结、连接库仑岛与漏的隧道结、位于库仑岛侧面的栅介质和侧栅、源上沉积的源电极、漏上沉积的漏电极、以及侧栅上沉积的侧栅电极。本发明同时公开了一种硅基侧栅单电子晶体管的制作方法。利用本发明，提高了单电子晶体管的可靠性及与传统CMOS工艺的兼容性，简化了制作工艺，降低了制作成本，提高了制作效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅基侧栅单 电子 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种硅基侧栅单电子晶体管，其特征在于，该单电子晶体管包括：库仑岛、位于库仑岛两侧的源和漏、连接库仑岛与源的隧道结、连接库仑岛与漏的隧道结、位于库仑岛侧面的栅介质和侧栅、源上沉积的源电极、漏上沉积的漏电极、以及侧栅上沉积的侧栅电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610109561.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：纳豆激酶的制造方法
- 下一篇：一种照明用氮化镓基发光二极管器件
- 同类专利
- 专利分类
