[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200610109585.6 | 申请日： | 2006-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN101026131A | 公开（公告）日： | 2007-08-29 |
| 发明（设计）人： | 福园健治 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/12;H01L21/56;H01L21/58 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 宋鹤 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件及器件的一种制造方法。半导体器件包括安装了半导体元件、第一加强件、加固树脂构件及用于加固加固树脂构件的第二加强件的衬底。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括衬底，半导体元件，其被表面安装在所述衬底上，第一加强件，布置在所述衬底上的围绕所述半导体元件的位置上，和加固树脂构件，布置在所述衬底上的所述半导体元件和所述第一加强件之间，包括：用于加固所述加固树脂构件的第二加强件。
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