[发明专利]电容器及电容器、存储装置、激励器和喷射头的制造方法无效
| 申请号： | 200610109916.6 | 申请日： | 2006-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN1941285A | 公开（公告）日： | 2007-04-04 |
| 发明（设计）人： | 小林大辅;中山雅夫 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/82;H01L27/00;B41J2/14;B41J2/16 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种可减轻对电介质膜的损害的电容器制造方法。根据本发明的电容器(10)的制造方法包括：在基板(1)的上方形成下部电极(4)的步骤；在下部电极(4)的上方形成由铁电体或压电体构成的电介质膜(5)的步骤；在电介质膜(5)的上方形成上部电极(6)的步骤；以及形成至少覆盖电介质膜(5)的氧化硅膜(20)的步骤，其中，氧化硅膜(20)使用三甲氧基硅烷形成。 | ||
| 搜索关键词： | 电容器 存储 装置 激励 喷射 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电容器的制造方法，包括以下步骤：在基板的上方形成下部电极；在所述下部电极的上方形成铁电体或压电体构成的电介质膜；在所述电介质膜的上方形成上部电极；以及形成至少覆盖所述电介质膜的氧化硅膜，其中，所述氧化硅膜使用三甲氧基硅烷形成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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