[发明专利]高电压集成电路有效
| 申请号： | 200610110015.9 | 申请日： | 2006-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN1889267A | 公开（公告）日： | 2007-01-03 |
| 发明（设计）人： | 蒋秋志;黄志丰;伍佑国;林隆世 | 申请（专利权）人： | 崇贸科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高电压集成电路，其包含P衬底。N阱隔离栏设置在所述衬底中。形成P阱的分开的P扩散区域设置在所述衬底中，用于充当隔离结构。低电压控制电路定位在所述N阱隔离栏外。浮置电路定位在所述N阱隔离栏内。所述浮置电路中的器件的最大相距空间受限制，从而在所述浮置电路与所述衬底之间形成高电压接合隔离栏。 | ||
| 搜索关键词： | 电压 集成电路 | ||
【主权项】：
1.一种高电压集成电路，其特征在于包含：P衬底；位于所述衬底中的N阱隔离栏；控制电路，设置在所述N阱隔离栏外；浮置电路，定位在所述N阱隔离栏内；以及在将预定高电压施加到所述浮置电路时形成的用于使所述浮置电路与所述控制电路隔离的高电压隔离栏。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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