[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200610110017.8 | 申请日： | 2006-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN1905175A | 公开（公告）日： | 2007-01-31 |
| 发明（设计）人： | 铃木彰;三坂荣一 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/12;H01L21/50 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种确保高的成品率且可靠性高的半导体装置及其制造方法。在半导体基板(1)的表面形成凹部(5)，在绝缘性基板(6)(玻璃等)上形成与该凹部(5)对应的凸部(7)。然后，使凹部(5)与凸部(7)嵌合，经由粘接层(8)而将半导体基板(1)与绝缘性基板(7)接合。对半导体基板(1)的背面进行背部研磨，露出凸部(7)，然后进行形成通孔(10)、形成贯通电极(14)、形成导电端子(18)以及切割等工序。此时，半导体基板(1)的表面及侧面被绝缘性基板(6)覆盖(保护)。另外，凸部(7)具有规定的宽度，切割在凸部(7)的中点附近进行。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：半导体基板；在所述半导体基板的表面形成的焊盘电极；从所述半导体基板的背面贯通并到达所述焊盘电极的通孔；形成于所述通孔之中并与所述焊盘电极电连接的贯通电极；形成于所述半导体基板的背面并与所述贯通电极电连接的导电端子，由绝缘性基板覆盖所述半导体基板的表面及侧面。
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