[发明专利]具有薄膜晶体管的半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200610110138.2 | 申请日： | 2006-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN1909249A | 公开（公告）日： | 2007-02-07 |
| 发明（设计）人： | 盐田国弘;奥村展 | 申请（专利权）人： | NEC液晶技术株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 杨林森;谷惠敏 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种具有TFT的半导体器件，包括基板，在基板上或在基板上方用作TFT的有源层的岛状半导体薄膜，在半导体薄膜中形成的一对源/漏区，以及在半导体薄膜中的源/漏区对之间形成的沟道区。源/漏区对比除该源/漏区之外的半导体薄膜的剩余部分薄。源/漏区对和半导体薄膜的剩余部分之间的厚度差值处于10埃()至100埃的范围内。这减小了总的工序步骤并提高了器件的工作性能和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 薄膜晶体管 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有TFT的半导体器件，包括：基板；直接在基板上或在具有中间背膜的基板之上形成的岛状半导体薄膜，所述半导体薄膜用作TFT的有源层；在所述半导体薄膜中形成的所述TFT的一对源/漏区；以及在半导体薄膜中的所述源/漏区对之间形成的所述TFT的沟道区，其中所述源/漏区对的厚度比所述半导体薄膜剩余部分的小；以及其中，所述源/漏区对和所述半导体薄膜的所述剩余部分之间的厚度差被设置在10埃至100埃的范围内。
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