[发明专利]用于制造半导体存储器件的方法无效
| 申请号： | 200610110139.7 | 申请日： | 2006-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN1909213A | 公开（公告）日： | 2007-02-07 |
| 发明（设计）人： | 荒尾孝;小柳贤一;米田贤司;中西成彦;五味秀树 | 申请（专利权）人： | 尔必达存储器株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242;H01L21/02;H01L21/314 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 杨林森;谷惠敏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 首先，制备提供了存储单元的主要部分的基体结构，以及此后在该基体结构上形成包括多晶硅膜的下电极。接下来，在预定温度热氮化下电极的表面以形成氮化硅膜。在下电极的热氮化中，温度被增加到预定氮化温度，此后以比通常更平缓的速率降低温度。此后在下电极上形成氧化铝(Al2O3)或其他金属氧化物介电膜作为电容性绝缘膜，以及在电容性绝缘膜上形成上电极。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 半导体 存储 器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器件的制造方法，包括：用于在其上形成了存储单元的主要部分的基体结构上形成下电极的步骤；用于以预定温度热处理所述下电极的步骤；用于在所述下电极上形成电容性绝缘膜的步骤；以及用于在所述电容性绝缘膜上形成上电极的步骤，其中用于热处理所述下电极的步骤包括在加热至所述预定温度之后缓慢冷却的步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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