[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200610110148.6 | 申请日： | 2006-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN1945835A | 公开（公告）日： | 2007-04-11 |
| 发明（设计）人： | 工藤千秋 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L27/02;H01L29/423;H01L29/78;H01L21/8234;H01L21/82;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在栅极长度不同的复数个栅极电极上，得到不依存栅极长度具有均匀组成的全硅化物化构造。半导体装置，是以具有各自被金属全硅化物化了的，栅极长度相互不同的第一栅极电极(14T1)及第二栅极电极(14T2)。在第一栅极电极(14T1)及第二栅极电极(14T2)的至少其中之一的上部，形成了周围高且栅极长度方向的中央部低的凹形槽。凹形槽，具有依赖于栅极电极(14T1、14T2)的栅极长度的宽度尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括具有第一栅极电极的第一电场效应晶体管及具有第二栅极电极的第二电场效应晶体管，其特征为：上述第一栅极电极及第二栅极电极，各自由金属全硅化物化，且栅极长度相互不同，在上述第一栅极电极的上部，形成了周围高且栅极长度方向的中央部低的凹形槽，上述凹形槽，具有依赖于上述第一栅极电极的栅极长度的宽度尺寸。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于松下电器产业株式会社，未经松下电器产业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610110148.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：活性和适应性光致变色纤维、织物以及膜
- 下一篇：用于真空吸尘器的吸力刷
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
