[发明专利]电光装置的制造方法有效
申请号: | 200610110628.2 | 申请日: | 2006-08-04 |
公开(公告)号: | CN1909214A | 公开(公告)日: | 2007-02-07 |
发明(设计)人: | 森胁稔;安川昌宏 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | H01L21/84 | 分类号: | H01L21/84;H01L21/768 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 | 代理人: | 李峥;于静 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的目的在于提供一种可以实现能够稳定地获得高品质的显示的电光装置的制造工艺的电光装置的制造方法。在TFT阵列基板10上,在基底绝缘膜520上形成蚀刻停止层550,在蚀刻停止层550的上方形成多条扫描线11a和使该多条扫描线11a互相短路的公共布线13,在基底绝缘膜520上形成多个TFT30,形成第1层间绝缘膜521,在第1层间绝缘膜521上形成多条数据线6a,然后通过在第1层间绝缘膜521上利用蚀刻形成切断用孔507而将公共布线13切断。 | ||
搜索关键词: | 电光 装置 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种电光装置的制造方法,是在基板上具备多条数据线、多条扫描线、与上述多条数据线和上述多条扫描线的交叉相对应地分别在每个像素中形成的多个驱动元件、与每个该驱动元件相对应地分别设置的多个像素电极的电光装置的制造方法,其特征在于,包括:形成蚀刻停止层的工序;在上述蚀刻停止层的上方形成上述多条扫描线和使上述多条扫描线互相短路的公共布线的工序;形成使上述多条数据线和上述多个像素电极对于上述多条扫描线和上述多个驱动元件层间绝缘的第1层间绝缘膜的工序;在上述第1层间绝缘膜上形成用于将上述多条数据线和上述多个像素电极分别电连接到上述多个驱动元件的接触孔的工序;形成上述多条数据线的工序;以及通过在上述第1层间绝缘膜上利用蚀刻形成切断用孔,而将上述公共布线切断的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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