[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 200610110697.3 | 申请日： | 2006-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN1941386A | 公开（公告）日： | 2007-04-04 |
| 发明（设计）人： | 伊藤昌弘;栗田信一;田畑利仁 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所;日立原町电子工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/76;H01L21/84 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人： | 熊志诚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种形成元件的基片的弯曲量较小，且具有可靠性较高的介质隔离结构的半导体器件。本发明的半导体器件，具有形成于硅绝缘体(SOI－Silicon on Insulator)基片的主表面上的一个以上的闭合回路图形的沟道，多晶硅膜被包覆该沟道侧壁部的绝缘膜夹持，在沟道的开口部，绝缘膜和多晶硅膜露出于同一平面上。利用该沟道，将形成于SOI基片上的多个半导体元件进行介质隔离。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，在通过绝缘膜将多个单晶岛配置在支撑体基片上面的硅绝缘体(SOI-Silicon on Insulator)基片上，形成了功率半导体元件，其特征在于，上述多个单晶岛的周围由闭合回路图形的沟道围住，该沟道内部被包覆沟道内壁的绝缘膜和被该绝缘膜夹持的多晶硅膜填埋。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
