[发明专利]阵列基板及其形成方法有效
| 申请号： | 200610110716.2 | 申请日： | 2006-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN1905159A | 公开（公告）日： | 2007-01-31 |
| 发明（设计）人： | 石志鸿;黄明远;杨智钧 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L21/768;H01L27/02;H01L23/522;G02F1/136 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种利用激光剥除工艺形成阵列基板的方法。利用导电层与其它材料的附着强度的差异，本发明可选择性地图案化导电层而不需额外光掩模。此外，本发明也提供一种阵列基板，其上表面的无机保护层与导电层交界处基本上为连续结构且彼此嵌合。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种阵列基板的形成方法，包括：分别形成接触垫、薄膜晶体管、像素区和储存电容在基板上；形成有机材料层在该接触垫、该薄膜晶体管、该像素区和该储存电容上；图案化该有机材料层以露出该像素区、部分该薄膜晶体管、部分该储存电容和部分该接触垫；沉积导电层在该有机材料层和露出的该像素区、部分该薄膜晶体管、部分该储存电容和部分该接触垫上；并且进行激光剥除工艺，移除该有机材料层上的该导电层，并留下该像素区、部分该薄膜晶体管、部分该储存电容和部分该接触垫上的该导电层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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