[发明专利]高压集成电路

摘要

本发明揭示高压集成电路。高压集成电路包括低压控制电路、浮动电路、P衬底、设置在衬底中的深N阱和设置在P衬底中的多个P阱。P阱和深N阱充当隔离结构。低压控制电路位于深N阱的外部，且浮动电路位于深N阱的内部。深N阱形成高压结型势垒，以隔离控制电路与浮动电路。

主权项

1.一种高压集成电路，其包括：P衬底；深N阱，其设置在前述P衬底中；控制电路，其位于前述深N阱的外部；浮动电路，其位于前述深N阱的内部；第一金属层，其设置在前述深N阱的一部分上；以及第二金属层，其设置在前述深N阱的一部分上；其中前述第一金属层、前述第二金属层和介电层经设置以形成用于将前述控制电路的控制信号馈送到前述浮动电路的电容器，且前述深N阱形成高压结型势垒，以隔离前述控制电路与前述浮动电路。