[发明专利]半导体工艺以及去除芯片上凝结的蚀刻气体的方法

摘要

一种半导体工艺，先提供一基底，接着于此基底上形成一层待蚀刻层。然后，于待蚀刻层上形成一层图案化的光致抗蚀剂层。接下来，使用一种蚀刻气体来进行蚀刻工艺，以蚀刻待蚀刻层而产生一图案化层。同时因此蚀刻工艺而产生出覆盖于图案化的光致抗蚀剂层上与基底上方的凝结蚀刻气体。之后，进行热处理工艺，以去除凝结的蚀刻气体。接着，进行离子注入工艺，以于基底中形成掺杂区，并于离子注入工艺后，去除图案化的光致抗蚀剂层。

主权项

1、一种半导体工艺，包括：提供基底；于该基底上形成待蚀刻层；于该待蚀刻层上形成图案化的光致抗蚀剂层；以该图案化的光致抗蚀剂层为掩模，使用蚀刻气体进行蚀刻工艺，以蚀刻该待蚀刻层而产生图案化层；进行热处理工艺，以去除在该蚀刻工艺后凝结覆盖于该图案化的光致抗蚀剂层上与该基底上方的该蚀刻气体；进行离子注入工艺，以于该基底中形成掺杂区；以及于该离子注入工艺后去除该图案化的光致抗蚀剂层。